Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited

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MOSFET SO-8 del transistor IC de los circuitos integrados de los chips CI SIR422DP-T1-GE3

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Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited
País/Región:china
Persona de contacto:MrAndy
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MOSFET SO-8 del transistor IC de los circuitos integrados de los chips CI SIR422DP-T1-GE3

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Número de modelo :SIR422DP-T1-GE3
Lugar de origen :Original
Cantidad mínima de pedido :PC 1
Términos de pago :LC, T/T, Western Union, MoneyGram, Panply
Capacidad de suministro :20000 piezas/días
El tiempo de entrega :1-3 días laborables
detalles del empaque :Embalaje estándar
Descripción/Paquete :MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Observaciones :Para materiales que no están disponibles en el sitio web, envíenos un correo electrónico directament
Envío por :China Post/DHL/FEDEX/UPS/TNT/DPEX/KAS
Descripción :Lista de lista de materiales Cotización
Tiempo de espera :1-3 días laborables
ROHS :
Garantía :360 días
Escribe :Circuito Integrado
Escribe- :CI
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MOSFET SO-8 del transistor IC de los circuitos integrados de los chips CI SIR422DP-T1-GE3

DESCRIPCIÓN DEL PRODUCTO

Número de parte #SIR422DP-T1-GE3es fabricado porVishay Technologies y distribuido por Jalixin.Como uno de los principales distribuidores de productos electrónicos, contamos con muchos componentes electrónicos de los principales fabricantes del mundo.
Para más información sobre
SIR422DP-T1-GE3especificaciones detalladas, cotizaciones, plazos de entrega, condiciones de pago y más, no dude en contactarnos.Para procesar su consulta, agregue la cantidadSIR422DP-T1-GE3a tu mensaje.Envíe un correo electrónico a andy@szjialixin.com para obtener una cotización ahora.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Fabricante:Vishay
Categoria de producto:MOSFET
Tecnología:Si
Estilo de montaje:SMD/SMT
Paquete / Caja:PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:Canal N
Número de canales:1 canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente:40 voltios
Id - Corriente de drenaje continua:20,5A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente:6,6 mOhmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente:- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente:1,2 voltios
Qg - Carga de puerta:48 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:- 55C
Temperatura máxima de funcionamiento:+ 150C
Pd - Disipación de potencia:34,7 vatios
Modo de canal:Mejora
Nombre comercial:TrenchFET, PowerPAK
Embalaje:Carrete
Embalaje:Cortar cinta
Embalaje:ratóncarrete
Marca:Semiconductores Vishay
Configuración:Único
Otoño:11 ns
Transconductancia directa - Min:70 S
Tipo de producto:MOSFET
Hora de levantarse:84 ns
Serie:SEÑOR
Subcategoría:MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:28 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:19 ns
Alias ​​de parte #:SIR422DP-GE3
Unidad de peso:0.017870 onzas


MOSFET SO-8 del transistor IC de los circuitos integrados de los chips CI SIR422DP-T1-GE3

MOSFET SO-8 del transistor IC de los circuitos integrados de los chips CI SIR422DP-T1-GE3


Preguntas más frecuentes

1. ¿Quiénes somos?
JIALIXIN se estableció en 2010, hay 12 años de experiencia en el suministro de componentes electrónicos, incluidos 10 años de experiencia para ofrecer el servicio de BOM Kitting.

2. ¿Cómo podemos garantizar la calidad?
Nuestra empresa tiene un departamento de control de calidad especial y tenemos una máquina de prueba profesional para probar.Tomaremos fotos de usted y enviaremos documentos a los clientes antes del envío.Nuestros productos son todos de agencia o fuente original, y serán revisados ​​antes del envío.

3. ¿Proporcionan el servicio de listado de listas de materiales?
SÍ, claro, contáctenos y envíenos su BOM, verificaremos el mejor precio para usted. JIALIXIN 10 años de experiencia para ofrecer el servicio de BOM Kitting.

4. ¿Por qué debería comprarnos a nosotros y no a otros proveedores?
1) Ventaja puntual, tenemos almacenes que pueden satisfacer las necesidades de materiales que se necesitan con urgencia.
2) ventaja de la agencia, cooperamos con agentes autorizados.Para algunos materiales solicitados a largo plazo, envíenos el precio objetivo para la aplicación y podemos negociar con el agente para organizar los pedidos.





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