Shenzhen Xinyuanpeng Technology Co., Ltd.

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DMN4800LSSQ-13 soporte 8-SO de la superficie 1.46W (TA) del canal N 30 V 8.6A (TA)

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Shenzhen Xinyuanpeng Technology Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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DMN4800LSSQ-13 soporte 8-SO de la superficie 1.46W (TA) del canal N 30 V 8.6A (TA)

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Number modelo :DMN4800LSSQ-13
Lugar del origen :LOS E.E.U.U.
Cantidad de orden mínima :2500
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :7500
Detalles de empaquetado :Bobina (TR)
Plazo de expedición :5-8 días del trabajo
Modelo :DMN4800LSSQ-13
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) :30 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C :8.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) :4,5 V, 10 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs :14mOhm @ 9A, 10V
Disipación de energía (máx.) :1,46 W (Ta)
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DMN4800LSSQ-13 soporte 8-SO de la superficie 1.46W (TA) del canal N 30 V 8.6A (TA)

Descripción

Este MOSFET se diseña para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (ENCENDIDO)) pero mantener el funcionamiento que cambia superior, haciéndolo ideal para los usos de gran eficacia de la gestión del poder.

 

Usos

el hacer excursionismo del 

el  acciona funciones de gestión

convertidores del  DC-DC

 

Características

En-resistencia baja del 

capacitancia entrada baja del 

velocidad que cambia rápida del 

salida baja de la entrada-salida del 

 totalmente sin plomo y completamente RoHS obediente

halógeno y antimonio del  libres. Dispositivo “verde”

el  calificó a los estándares AEC-Q101 para la alta confiabilidad

 PPAP capaz

 

Datos mecánicos

caso del : SO-8

material del caso del : Plástico moldeado, compuesto que moldea “verde”. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0

sensibilidad de humedad del : Llano 1 por J-STD-020

conexiones de terminales del : Vea el diagrama

terminales del : Final - Matte Tin Annealed sobre Leadframe de cobre. Solderable por MIL-STD-202, método 208

peso del : 0.072g (aproximado)

 

Categoría
Productos de semiconductor discretos
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Mfr
Diodos incorporados
Serie
Automotriz, AEC-Q101
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
8.6A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
14mOhm @ 9A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
1.6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
8,7 nC @ 5 V
Vgs (máximo)
±25V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
798 PF @ 10 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
1.46W (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO
Paquete/caso
8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)

 

ORIGINAL

 

Nuestra compañía se asegura de que cada lote de productos venga de la fábrica original, y puede proporcionar etiquetas originales e informes profesionales de la agencia de prueba.

 

PRECIO

 

Proporcionamos una variedad de canales de la cita, y firmamos el contrato de la orden después de la negociación.

 

TRANSACCIÓN

 

Después de la comunicación y del acuerdo, le dirigiremos para arreglar el pago.

 

CICLO DE ENTREGA

 

La entrega en el mismo día, generalmente 5-12 días laborables, se puede retrasar levemente durante la epidemia, nosotros seguirá el proceso entero.

 

TRANSPORTE

 

Elegiremos el modo apropiado del transporte según su país.

 

EMPAQUETADO

 

Después de la comunicación con usted, elegiremos el método de empaquetado apropiado según el peso de las mercancías para asegurar la entrega segura de las mercancías.

Carro de la investigación 0