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Categoría
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Productos de semiconductor discretos
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
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Mfr
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Diodos incorporados
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Serie
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Automotriz, AEC-Q101
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Tipo del FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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30 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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8.6A (TA)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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14mOhm @ 9A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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1.6V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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8,7 nC @ 5 V
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Vgs (máximo)
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±25V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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798 PF @ 10 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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1.46W (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-SO
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Paquete/caso
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8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
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