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especificación de 2N7002T-7-F
Categoría
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Productos de semiconductor discretos
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
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Mfr
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Diodos incorporados
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Serie
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-
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Tipo del FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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60 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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115mA (TA)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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7.5Ohm @ 50mA, 5V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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2V @ 250µA
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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50 PF @ 25 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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150mW (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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SOT-523
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Paquete/caso
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SOT-523
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