Paquete FBGA-96 ROHS de K4B4G1646E-BYMA Samsung RDA SDRAM
Las piezas del cajero automático NCR DIMM 512M 64MX64 DDR DRAM PC2100 009-0022375
MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Tecnología de micrófonos Inc.
Fabricación de sustratos de circuitos integrados de memoria para DDR/LPDDR
Chip de memoria SDRAM DDR3 1GB 1.5V FBGA-96 8K Refresh IMD64M16R38AG8GNF
ALCANCE de los chips de memoria FBGA-96 RDA de Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram inafectado
1-1473005-1 Conectores AMP de TE Connectivity Zócalo SDRAM DDR SODIMM
Micrón MT41K256M16TW-107 AIT: Chip CI 512Mb DDR3 SDRAM de memoria Flash de P
COPITA PC2100 009-0022375 0090022375 de NCR DIMM los 512M 64MX64 RDA de las piezas de la máquina del cajero automático
H5AN8G6NCJR-VKC Chip de memoria IC Memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono FBGA96 DDR SDRAM
MT46V16M16P-75: Bandeja de RDA SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP del microprocesador de COPITA del MICRÓN de F
16Mx16 son paralelo al chip CI 46V16M16 SDRAM - memoria IC 256Mb del circuito integrado de RDA
MT46V8M16TG-6T IT: D TR Circuito integrado original Chip de circuito integrado DOBLE VELOCIDAD DE DATOS DDR SDRAM
SDRAM - memoria IC MT46V16M16P-5B de RDA: Paralelo de M 256Mbit 200 megaciclos 700 chip CI electrónico del picosegundo 66-TSOP
Regulador 1,35 V a 5,5 V de la terminación de LP2998MA NOPB RDA
Anterwell Technology Ltd.
97-0284
Chip CI MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D de la memoria de 1GB RDA SDRAM
Memoria de acceso aleatorio dinámica síncrona de H9HCNNNBPUMLHR NMO