Fabricación de sustratos de circuitos integrados de memoria para DDR/LPDDR
Registro LP2998QMRX/NOPB PMIC de la terminación de los ICs de la gestión del poder de RDA
Paquete FBGA-96 ROHS de K4B4G1646E-BYMA Samsung RDA SDRAM
1-1473005-1 Conectores AMP de TE Connectivity Zócalo SDRAM DDR SODIMM
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alianza de la memoria, Inc.
Micrón MT41K256M16TW-107 AIT: Chip CI 512Mb DDR3 SDRAM de memoria Flash de P
H5AN8G6NCJR-VKC Chip de memoria IC Memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono FBGA96 DDR SDRAM
IS42S16320B-7TL SDRAM 64Mb Densidad 166MHz Velocidad 3.3V Operación 16Mx16 Organización LVTTL Interfaz Temporada industrial (-40°C~85°C) Compacto paquete TSOP-II Alta confiabilidad
Chip de memoria SDRAM DDR3 1GB 1.5V FBGA-96 8K Refresh IMD64M16R38AG8GNF
ALCANCE de los chips de memoria FBGA-96 RDA de Samsung K4A4G165WF-BCTD Sdram inafectado
COPITA IS42S16320F-6TLI del Pin TSOP II de los 512M 3.3V SDRAM 32Mx16 166MHz 54
Regulador 1,35 V a 5,5 V de la terminación de LP2998MA NOPB RDA
Circuito integrado ic del regulador de la terminación del microprocesador DDR-II del circuito integrado de LP2997MRX
SDRAM - memoria IC MT46V16M16P-5B de RDA: Paralelo de M 256Mbit 200 megaciclos 700 chip CI electrónico del picosegundo 66-TSOP
LP2997MRX Circuito integrado Chip DDR-II Terminación Regulador circuito integrado ic
16Mx16 son paralelo al chip CI 46V16M16 SDRAM - memoria IC 256Mb del circuito integrado de RDA
Chip CI MT29PZZZ8D5WKFMW-18W.6D de la memoria de 1GB RDA SDRAM
MT46V16M16P-75: Bandeja de RDA SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP del microprocesador de COPITA del MICRÓN de F