DTD114ECT116

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s

Corriente - colector (Ic) (máximo) :500 mA

Estado del producto :Actividad

Tipo de transistor :NPN - Pre-en polarización negativa

Frecuencia - Transición :200 MHz

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Paquete :Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :300mV @ 2.5mA, 50mA

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V

Paquete de dispositivos del proveedor :TSS3

Resistencia - Base (R1) :10 kOhms

El Sr. :Semiconductor de Rohm

Resistencia - Base del emisor (R2) :10 kOhms

Corriente - límite del colector (máximo) :500 nA

Potencia - máximo :200 mW

Envase / estuche :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :56 @ 50mA, 5V

Número del producto de base :DTD114

Descripción :Se utilizará para el ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero y de combustibles fósile

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistores bipolares (BJT) NPN - 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW con montaje de superficie previo

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