RN1109ACT ((TPL3))

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Transistores bipolares de un s

Corriente - colector (Ic) (máximo) :80 mA

Estado del producto :No está disponible

Tipo de transistor :NPN - Pre-en polarización negativa

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Paquete :Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones eléctricas de los Estados miembros

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V

Paquete de dispositivos del proveedor :CST3

Resistencia - Base (R1) :47 kOhms

El Sr. :Toshiba Semiconductor y almacenamiento

Resistencia - Base del emisor (R2) :22 kOhms

Corriente - límite del colector (máximo) :500 nA

Potencia - máximo :100 mW

Envase / estuche :Las condiciones de los servicios de la Comisión son las siguientes:

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :70 @ 10mA, 5V

Número del producto de base :No incluidos en la lista

Descripción :Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e

Las existencias :En stock

Método de envío :Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo

Condiciones de pago :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistores bipolares (BJT) NPN pre-biasados 50 V 80 mA 100 mW montado en la superficie CST3

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