JY14M
MOSFET del poder del modo del aumento del canal N
Descripción general
Que incorpora el proceso del foso técnicas avanzadas, el transistor del campo del poder de JY14M actúa con alta densidad de célula, dando por resultado en-resistencia reducida y la jactancia de un alto grado repetidor de la avalancha. Esta combinación única le hace un dispositivo excepcional que ofrezca eficacia y confiabilidad, conveniente para los diversos usos, particularmente usos que cambian del poder.
Ofreciendo un grado del voltaje de 40V y un grado actual de 200A, el JY14M entrega capacidades de excelente rendimiento. Muestra una en-resistencia baja (el RDS (ENCENDIDO)) de 2.5mΩ en un voltaje de la puerta-fuente (VGS) de 10V, asegurando operaciones de transferencia eficientes del poder. Por otra parte, el transistor exhibe características que cambian rápidas y la recuperación reversa del cuerpo, permitiendo transiciones rápidas y eficientes entre los estados por intervalos.
El JY14M se caracteriza completamente en cuanto a voltaje de avalancha y actual, asegurando funcionamiento confiable incluso bajo condiciones extremas. Además, su diseño de paquete excelente promueve la disipación de calor eficaz, aumentando la confiabilidad y la longevidad totales del dispositivo.
Para resumir, las palancadas del transistor del campo del poder de JY14M avanzaron técnicas de proceso del foso para alcanzar una alta densidad de célula y para reducir en-resistencia, junto con un grado repetidor notable de la avalancha. Estas características le toman una decisión extremadamente eficiente y confiable para los usos que cambian del poder y una amplia gama de otros usos donde está crucial el funcionamiento confiable.
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Características
●40V/200A, RDS (ENCENDIDO) =2.5MΩ@VGS=10V
●Transferencia rápida y recuperación reversa del cuerpo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor
Usos
●Uso que cambia
●Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
●Gestión del poder para los sistemas del inversor
PIN Description
Esquema del paquete TO220-3
Imágenes
FAQ
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