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MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad

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China MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad wholesale
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MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad
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Number modelo :JY4P7M
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :L/C, T/T
Capacidad de la fuente :100000 PCS por mes
Plazo de expedición :5-10days
Detalles de empaquetado :Bolsa de PE+cartón
Marca :JUYI
Modelo :JY4P7M
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MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para los usos de gran intensidad de la carga

 

Descripción general

En usos de gran intensidad de la carga, el JY4P7M demuestra ser un dispositivo extremadamente confiable y eficiente. Alcanza una alta densidad de célula y la minimiza con eficacia en resistencia del ‐ con la utilización de las técnicas de proceso puntas del foso. Además, el dispositivo ofrece la carga baja de la puerta, aumentando más lejos su performance.ents.  Consiga más detalles hacen clic por favor aquí.

 

Característica

●‐ 70A, ‐ 10V del ‐ 40V/del RDS (ENCENDIDO) ≤10mΩ@VGS=
●Diseño de alta densidad de la célula para Rdson ultrabajo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor

Usos

●Interruptor de la carga en usos de gran intensidad
●Gestión del poder para los sistemas del inversor

PIN Description

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad

Esquema del paquete TO252

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidadMOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad

Imágenes

MOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidadMOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidadMOSFET del poder de JY4P7M P Channel Enhancement Mode para la carga de gran intensidad

 

Etiquetas de productos:

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