MOSFET del poder de JY14M N Channel Enhancement Mode para el conductor del motor de BLDC
DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY14M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.
CARACTERÍSTICAS
●40V/200A, RDS (ENCENDIDO) =2.5MΩ@VGS=10V
●Transferencia rápida y recuperación reversa del cuerpo
●Caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha
●Paquete excelente para la buena disipación de calor
USOS
●Uso que cambia
●Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
●Gestión del poder para los sistemas del inversor
Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Límite | Unidad |
| VDS | Voltaje de la Dren-fuente | 40 | V |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente | ± 20 | V |
| Identificación | Dren continuo
Actual | Tc=25ºC | 200 | |
| Tc=100ºC | 130 |
| IDM | Corriente pulsada del dren | 720 | |
| Paladio | Disipación de poder máxima | 210 | W |
| TJ TSTG | Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
Gama | -55 a +175 | ºC |
| RθJC | Resistencia-empalme termal a encajonar | 0,65 | ºC/W |
| RθJA | Resistencia-empalme termal a ambiente | 62 |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| Características estáticas |
| BVDSS | Dren-fuente
Voltaje de avería | VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA | 40 | V |
| IDSS | Voltaje cero de la puerta
Drene actual | VDS =100V, VGS =0V | 1 | UA |
| IGSS | Salida del Puerta-cuerpo
Actual | =± 20V, VDS =0V de VGS | ± 100 | nA |
| VGS (th) | Umbral de la puerta
Voltaje | VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| RDS (ENCENDIDO) | Dren-fuente
resistencia del En-estado | VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =60A | 2,5 | mΩ |
| gFS | Delantero
Transconductancia | VDS =20V, IDENTIFICACIÓN =60A | 100 | S |
Características eléctricas (Ta=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| Características de diodo de la Dren-fuente |
| VSD | Diodo delantero
Voltaje | VGS =0V, DSI =100A | 1,2 | V |
| Trr | Tiempo de recuperación reversa | DSI =100A
di/dt=100A/us | 38 | ns |
| Qrr | Carga reversa de la recuperación | 58 | nC |
| Características dinámicas |
| RG | Resistencia de la puerta | VGS =0V, VDS =0V,
f=1MHZ | 1,2 | Ω |
| TD (encendido) | Tiempo de retraso de abertura | VDS =20V, RG =6Ω,
Identificación =100A,
VGS =10V, | 34 | ns |
| Tr | Tiempo de subida de abertura | 22 |
| TD (apagado) | Tiempo de retraso de la vuelta-apagado | 48 |
| Tf | Tiempo de caída de la vuelta-apagado | 60 |
| CISS | Capacitancia entrada | VGS =0V,
VDS =20V,
f=1.0MHz | 5714 | PF |
| COSS | Capacitancia de salida | 1460 |
| CRSS | Transferencia reversa
Capacitancia | 600 |
| Qg | Carga total de la puerta | VDS =30V, IDENTIFICACIÓN =100A,
VGS =10V | 160 | nC |
| Qgs | Carga de la Puerta-fuente | 32 |
| Qgd | Carga del Puerta-dren | 58 |
MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY14M
JY14M.pdf
