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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

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Ciudad:changzhou

Provincia / Estado:jiangsu

País/Región:china

Persona de contacto:MrIvanzhu

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China Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia JY4P7M para carga de alta corriente wholesale

Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia JY4P7M para carga de alta corriente

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Número de modelo :JY4P7M

Lugar del origen :China

Cantidad de orden mínima :50pcs (muestra disponible)

Condiciones de pago :T/T, Paypal

Capacidad de la fuente :10000pcs por mes

Tiempo de entrega :Por lo general 5-8 días laborables después de recibir el pago

Detalles del embalaje :Bolsa de PE y cartón

Modelo no. :JY4P7M

Vds :-40 V

Vgs :± 20 V

Disipación de potencia máxima :de energía de 130 W

Temperatura de funcionamiento :-55 ~ +175 °C

Resistencia térmica-junción con el estuche :0.98°C/W

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Descripción general:

El JY4P7M utiliza las últimas técnicas de procesamiento de zanjas para lograr la alta densidad de células y reduce la resistencia de encendido con una baja carga de puerta.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en alta corriente

aplicaciones de carga.

Características:

● ‐40V/‐70A, RDS ((ON) ≤10mΩ@VGS=‐10V

● Diseño de celdas de alta densidad para Rdson ultra bajo

● Tensión y corriente de avalancha completamente caracterizadas

● Excelente paquete para una buena disipación de calor

Aplicaciones:

● Interruptor de carga en aplicaciones de alta corriente

● Gestión de la energía para sistemas de inversores

Descripción del PIN:

Calificaciones máximas absolutas ((Tc=25oC a menos que se indique lo contrario):

Características eléctricas ((Ta=25oC, salvo que se indique lo contrario):

Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia JY4P7M para carga de alta corriente

Características eléctricas ((Ta=25oC, salvo que se indique lo contrario):

TO252 Esquema del paquete