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Ciudad:hong kong
País/Región:china
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Categoría de productos :MOSFET
Vgs (máximo) :± 20 V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emision
Tipo de FET :N-canal
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :Se aplicará el procedimiento siguiente:
Fabricante :Tecnologías Infineon
Cantidad mínima :4800
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) :4.5V y 10V
Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica del FET :-
Serie :HEXFET®
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor :MX DE DIRECTFET™
Estado de las partes :Actividad
embalaje :Cintas y bobinas (TR)
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :1.7 mOhm @ 32A, 10V
Disipación de poder (máxima) :2.8W (Ta), 89W (Tc)
Envase / estuche :MX isométrico de DirectFET™
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id :2.35V @ 100µA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :30 V
Descripción :MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET y otros componentes
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