Categoría de productos :MOSFET
Vgs (máximo) :±30V
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :10A (TA)
Tipo de FET :N-canal
Tipo de montaje :A través del agujero
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :25nC @ 10V
Fabricante :Toshiba
Cantidad mínima :2500
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) :10 V
Temperatura de funcionamiento :150°C (TJ)
Característica del FET :-
Serie :Se aplican las siguientes condiciones:
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el valor de las emisiones de dióxido de carbono.
Paquete de dispositivos del proveedor :A-220SIS
Estado de las partes :Actividad
embalaje :El tubo
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :750 mOhm @ 5A, 10V
Disipación de poder (máxima) :45W (Tc)
Envase / estuche :Paquete completo TO-220-3
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id :4V @ 1mA
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :Las demás:
Descripción :MOSFET N-CH 600V 10A hasta 220SIS
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