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MJD45H11G

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Ciudad:hong kong
País/Región:china
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MJD45H11G

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Polaridad del transistor :PNP
Categoría de productos :Transistores bipolares - BJT
Estilo de montaje :DSM/SMT
Corriente máxima del colector de CC :8 A
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo :Las demás:
Envase / estuche :TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 150 °C
Producto pie del ancho de banda del aumento :90 megaciclos
Configuración :No casado
Voltaje bajo VCBO del colector :5 V
Serie :MJD45H11
Voltaje bajo VEBO del emisor :5 V
Voltaje de saturación del Colector-emisor :1 V
Fabricante :en semi
Descripción :Transistores bipolares - BJT 8A 80V 20W PNP
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