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SZ ADE Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrAndy

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TPH2R306NH1, soporte superficial del avance del canal N 60 V 136A 800mW 170W 8-SOP del LQ

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Number modelo :TPH2R306NH1, LQ

Lugar del origen :original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de la fuente :100.000

Plazo de expedición :días 1-3working

Detalles de empaquetado :Caja del cartón

Número de parte :TPH2R306NH1, LQ

Tipo del FET :Canal N

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :60 V

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :6.5V, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 1mA

Vgs (máximo) :±20V

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TPH2R306NH1, soporte superficial del avance del canal N 60 V 136A 800mW 170W 8-SOP del LQ

Canal N 60 V 136A (Tc) 800mW (TA), avance superficial del soporte 170W (Tc) 8-SOP (5x5.75)

Características de TPH2R306NH1, LQ

Tipo canal N del FET
MOSFET de la tecnología (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 136A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
Identificación 4V @ 1mA de Vgs (th) (máximo) @
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 72 nC @ 10 V
Vgs ±20V (máximo)
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 6100 PF @ 30 V
Disipación de poder 800mW (máximo) (TA), 170W (Tc)

Especificaciones de TPH2R306NH1, LQ

Mfr	Semiconductor y almacenamiento de Toshiba
Serie	U-MOSVIII-H
Producto	TPH2R306NH1, LQ
Tipo del FET	Canal N
Paquete	Cinta y carrete
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	60 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	136A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	6.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	2.3mOhm @ 50A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	6100 PF @ 30 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	800mW (TA), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	Avance 8-SOP (5x5.75)
Paquete/caso	8-PowerTDFN

Clasificaciones ambientales y de la exportación

CUALIDAD	DESCRIPCIÓN
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL)	1 (ilimitado)
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

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