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IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALELO 84TWBGA

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrAndy
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IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALELO 84TWBGA

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Number modelo :Is43dr16640b-25dbli-Tr
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T, L/C
Capacidad de la fuente :100.000
Plazo de expedición :días 1-3working
Detalles de empaquetado :Caja del cartón
Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página :15ns
Tiempo de acceso :400 picosegundos
Voltaje - fuente :1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje del tipo :Soporte superficial
Paquete/caso :84-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :84-TWBGA (8x12.5)
Número bajo del producto :IS43DR16640
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SDRAM - IC de memoria DDR2 1 Gbit Paralelo 400 MHz 400 ps 84-TWBGA (8x12.5)

Especificaciones de Is43dr16640b-25dbli-Tr

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Circuitos Integrados (CI)
Memoria
Memoria
Fabricante ISSI, Solución Integrada de Silicio Inc.
Serie -
Paquete Cinta y carrete (TR)
Estado del producto No para nuevos diseños.
Programable Digi-Key No verificado
Tipo de memoria Volátil
Formato de memoria DRACMA
Tecnología SDRAM-DDR2
Tamaño de la memoria 1 Gbit
Organización de la memoria 64M x 16
interfaz de memoria Paralelo
Frecuencia de reloj 400 MHz
Tiempo de ciclo de escritura: palabra, página 15ns
Tiempo de acceso 400 p.
Suministro de voltaje 1,7 V ~ 1,9 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Montaje superficial
Paquete / Caja 84-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 84-TWBGA (8x12,5)
Número de producto base IS43DR16640

Caracteristicas deIs43dr16640b-25dbli-Tr

 Frecuencia de reloj hasta 400MHz
 8 bancos internos para operación concurrente
 Arquitectura de captación previa de 4 bits
 Latencia CAS programable: 3, 4, 5, 6 y 7
 Latencia aditiva programable: 0, 1, 2, 3, 4,5y 6
 Latencia de escritura = Latencia de lectura-1
 Secuencia de Ráfaga Programable: Secuencial ointercalado
 Longitud de ráfaga programable: 4 y 8
 Comando de Precarga Automático y Controlado
 Modo de apagado
 Actualización automática y actualización automática
 Intervalo de actualización: 7,8 s (8192 ciclos/64 ms)
 ODT (terminación en matriz)
 Opción de controlador de salida de datos de fuerza débil
 Luz estroboscópica de datos diferencial bidireccional(La luz estroboscópica de datos de un solo extremo es una característica opcional)
 On-Chip DLL alinea las transiciones DQ y DQscontransiciones CK
 DQS# se puede deshabilitar para datos de un solo extremoluz estroboscópica
 Lectura estroboscópica de datos compatible (solo x8)
 Entradas de reloj diferencial CK y CK#
 VDD y VDDQ = 1.8V ± 0.1V
 PASR (Actualización automática de matriz parcial)

AplicacionesdeIs43dr16640b-25dbli-Tr

 Interfaz SSTL_18
 Soporte de bloqueo de tRAS
 Temperatura de funcionamiento:Comercial (TA = 0°C a 70°C ; TC = 0°C a85°C)Industrial (TA = -40°C a 85°C; TC = -40°Ca 95°C)Automoción, A1 (TA = -40 °C a 85 °C; TC = -40°C a 95 °C)Automoción, A2 (TA = -40 °C a 105 °C; TC = -40°C a105°C)

Clasificaciones ambientales y de exportación deIs43dr16640b-25dbli-Tr

ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
REACH Estado REACH no afectado
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0032

IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALELO 84TWBGA



Carro de la investigación 0