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MOSFET electrónico IC N CH 800V 6A TO252-3 de los chips CI IPD80R900P7ATMA1

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Provincia / Estado:guangdong
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MOSFET electrónico IC N CH 800V 6A TO252-3 de los chips CI IPD80R900P7ATMA1

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Number modelo :IPD80R900P7ATMA1
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T, L/C
Capacidad de la fuente :100.000
Plazo de expedición :días 1-3working
Detalles de empaquetado :Caja del cartón
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :350 PF @ 500 V
Característica del FET :-
Disipación de poder (máxima) :45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo :Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor :PG-TO252-3
Paquete/caso :TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
Número bajo del producto :IPD80R900
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MOSFET INALÁMBRICO N-CH 100V 60A TO252-3 del MÓDULO de IPD60N10S4L-12 RF

Mosfet inalámbrico N-Ch 800v 6a To252-3 del módulo de Ipd80r900p7atma1 Rf

Soporte PG-TO252-3 de la superficie 45W (Tc) del canal N 800 V 6A (Tc)

 

Especificaciones de IPD80R900P7ATMA1

 

TIPO DESCRIPCIÓN
Categoría Productos de semiconductor discretos
Transistores
FETs, MOSFETs
Solos FETs, MOSFETs
Mfr Infineon Technologies
Serie CoolMOS™ P7
Paquete Cinta y carrete (TR)
Corte la cinta (los CT)
Digi-Reel®
Situación del producto Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 800 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 6A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 900mOhm @ 2.2A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3.5V @ 110µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Vgs (máximo) ±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 350 PF @ 500 V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Paquete/caso TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
Número bajo del producto IPD80R900

 

Características de IPD80R900P7ATMA1

 

•Mejor-en-classFOMRDS (encendido) *Eoss; reducedQg, CISS, andCoss
•Mejor-en-classDPAKRDS (encendido)
•Mejor-en-classV (GS) thof3VandsmallestV (GS) thvariationof±0.5V
•IntegratedZenerDiodeESDprotection
•Fullyoptimizedportfolio
 

Usos de IPD80R900P7ATMA1

 

•Mejor-en-classperformance
•Enablinghigherpowerdensitydesigns, assemblycosts de BOMsavingsandlower
•Easytodriveandtoparallel
BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures
•Lessproductionissuesandreducedfieldreturns
•Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns

 

 

Clasificaciones ambientales y de la exportación de IPD80R900P7ATMA1

 

CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Situación del ALCANCE ALCANCE inafectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

MOSFET electrónico IC N CH 800V 6A TO252-3 de los chips CI IPD80R900P7ATMA1

 

 

 

 



 

 

 

 

 
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