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DTD123ECT116 Transistor bipolar 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Montaje en superficie SST3
TIPO
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DESCRIPCIÓN
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Categoría
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Productos semiconductores discretos
transistores
Bipolares (BJT)
Transistores bipolares simples prepolarizados
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Fabricante
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ROHM
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Serie
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-
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Estado del producto
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Activo
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Tipo de transistor
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NPN - Pre-sesgado
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Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
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500mA
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Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.)
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50 V
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Resistencia - Base (R1)
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2,2 kiloohmios
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Resistencia - Base del emisor (R2)
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2,2 kiloohmios
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Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
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39 @ 50mA, 5V
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Saturación de Vce (Máx.) @ Ib, Ic
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300mV a 2,5mA, 50mA
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Corriente: corte del colector (máx.)
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500nA
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Frecuencia - Transición
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200 MHz
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Potencia - Máx.
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200 mW
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Tipo de montaje
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Montaje superficial
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Paquete / Caja
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Paquete de dispositivo del proveedor
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SST3
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Número de producto base
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DTD123
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Clasificaciones ambientales y de exportación
ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
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Estado RoHS | Cumple con ROHS3 |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
REACH Estado | REACH no afectado |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Característicasde DTD123ECT116
1) Las resistencias de polarización incorporadas permiten la configuración de un circuito inversor sin conectar
Resistencias de entrada externas.(ver circuito equivalente)
2) La resistencia de polarización consta de resistencias de película delgada con aislamiento completo para permitir la polarización negativa de la entrada.también tienen
la ventaja de eliminar casi por completo los efectos parasitarios.
3) Solo es necesario configurar las condiciones de encendido/apagado para el funcionamiento, lo que facilita el diseño del dispositivo.