Señal del canal dual del canal N 2 del MOSFET de IC del transistor DMN5L06DWK7 pequeña
Señales del canal dual del canal N 2 del MOSFET del chip CI del transistor DMN5L06DWK7 pequeñas
Características de DMN5L06DWK7
MOSFET dual del canal N del
En-resistencia baja del (1.0V máximos)
voltaje bajo mismo del umbral de la puerta del
capacitancia entrada baja del
velocidad que cambia rápida del
salida baja de la entrada-salida del
Ultra-pequeño paquete superficial del soporte del
el ESD protegió hasta 2kV
totalmente sin plomo y completamente RoHS obediente (notas 1 y 2)
halógeno y antimonio del libres. Dispositivo “verde” (nota 3)
el calificó a los estándares AEC-Q101 para alto Reliabilit
Datos mecánicos de DMN5L06DWK7
| Caso |
SOT363 |
| Material del caso |
Plástico moldeado, compuesto que moldea “verde”. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0 |
| Sensibilidad de humedad |
Llano 1 por J-STD-020 |
| Conexiones terminales |
Vea el diagrama |
| Terminales |
Final – Matte Tin Annealed sobre la aleación 42 Leadframe. Solderable por MIL-STD-202, método 208 |
| Peso |
0,006 gramos (de aproximado) |
Cualidades de producto de DMN5L06DWK7
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Tecnología
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Configuración
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Característica del FET
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Puerta del nivel de la lógica
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Poder - máximo
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete/caso
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Número bajo del producto
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DMN5L06
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En almacén.
