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SZ ADE Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

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China Canal N 40V 25A 49A 2.5W 104W del chip CI del transistor de 8-PQFN FDMS8460 wholesale

Canal N 40V 25A 49A 2.5W 104W del chip CI del transistor de 8-PQFN FDMS8460

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Number modelo :FDMS8460

Lugar del origen :original

Cantidad de orden mínima :1

Condiciones de pago :T/T

Capacidad de la fuente :100.000

Plazo de expedición :días 1-3working

Detalles de empaquetado :Caja del cartón

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :40 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :25A (TA), 49A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :2.2mOhm @ 25A, 10V

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :110 nC @ 10 V

Vgs (máximo) :±20V

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FDMS8460 canal N 40 V 25A 49A 2.5W 104W 8-PQFN (5x6) del chip CI del transistor

Características de FDMS8460

• RDS máximo (encendido) = 2,2 m en VGS = 10 V, identificación = 25 A
• RDS máximo (encendido) = 3,0 m en VGS = 4,5 V, identificación = 21,7 A
• Combinación avanzada del paquete y del silicio para el rDS bajo (encendido)
• Diseño de paquete robusto MSL1
• El 100% UIL probó
• RoHS obediente

Cualidades de producto de FDMS8460

Producto	FDMS8460
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	40 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	25A (TA), 49A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	2.2mOhm @ 25A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	7205 PF @ 20 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	2.5W (TA), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PQFN (5x6)
Paquete/caso	8-PowerTDFN
Número bajo del producto	FDMS84

Usos de FDMS8460

Conversión de DC−DC

Clasificaciones ambientales y de la exportación de FDMS8460

CUALIDAD	DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS	ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL)	1 (ilimitado)
Situación del ALCANCE	ALCANCE inafectado
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Descripción general de FDMS8460

Este MOSFET de N−Channel es el usar producido EN el proceso avanzado del POWERTRENCH® del semiconductor que se ha adaptado especialmente para minimizar la resistencia del on−state pero mantener funcionamiento que cambia superior.

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