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Paquete del canal 30V 1.5A 500mW Sot23 3 del circuito integrado P del transistor de FDN358P

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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Paquete del canal 30V 1.5A 500mW Sot23 3 del circuito integrado P del transistor de FDN358P

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Number modelo :FDN358P
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :100.000
Plazo de expedición :días 1-3working
Detalles de empaquetado :Caja del cartón
Soporte superficial SOT-23 del P-canal 20 V 1.7A 1W del chip CI del transistor de FDN335N :30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :1.5A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :125mOhm @ 1.5A, 10V
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :5,6 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±20V
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Soporte superficial SOT-23 del P-canal 20 V 1.7A 1W del chip CI del transistor de FDN358P

 

Soporte SOT-23-3 de la superficie 500mW (TA) del P-canal 30 V 1.5A (TA) de FDN358P

 

Características de FDN358P

 

– 1,5 A, – 30 mΩ del V. RDS (ENCENDIDO) = 125 @ VGS = – 10 mΩ de V RDS (ENCENDIDO) = 200 @ VGS = – 4,5 V
• Carga baja de la puerta (4 nC típicos)
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO).
• Versión del poder más elevado del paquete del estándar industrial SOT-23. Perno-hacia fuera idéntico a SOT-23 con la mayor potencia del 30% que maneja capacidad.

 

Cualidades de producto de FDN358P

 

Producto
 
FDN358P
Tipo del FET
P-canal
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
30 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
1.5A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
125mOhm @ 1.5A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
5,6 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
182 PF @ 15 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
500mW (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-3
Paquete/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número bajo del producto
FDN358

 

Clasificaciones ambientales y de la exportación de FDN358P

 

CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Situación del ALCANCE ALCANCE inafectado
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 

Paquete del canal 30V 1.5A 500mW Sot23 3 del circuito integrado P del transistor de FDN358P

 

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