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Soporte superficial SOT-23 del chip CI 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic del transistor de FDN335N

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China Soporte superficial SOT-23 del chip CI 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic del transistor de FDN335N wholesale
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Soporte superficial SOT-23 del chip CI 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic del transistor de FDN335N
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Number modelo :FDN335N
Lugar del origen :original
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :100.000
Plazo de expedición :días 1-3working
Detalles de empaquetado :Caja del cartón
Soporte superficial SOT-23 del P-canal 20 V 1.7A 1W del chip CI del transistor de FDN335N :20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :1.7A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :3,5 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo) :±8V
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Soporte superficial SOT-23 del P-canal 20 V 1.7A 1W del chip CI del transistor de FDN335N

 

Características de FDN335N

 

●MOSFET del poder de TrenchFET
●Diseño de alta densidad de la célula de la cena

 

Cualidades de producto de FDN335N

 

Producto
FDN335N
Tipo del FET
P-canal
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
1.7A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
3,5 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±8V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
310 PF @ 10 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
1W (TA)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23
Paquete/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

 

Clasificaciones ambientales y de la exportación de FDN335N
CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 1 (ilimitado)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Uso de FDN335N

 

Protección de la batería del ※
El ※ carga el interruptor
Gestión de la batería del ※

 

Soporte superficial SOT-23 del chip CI 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet Ic del transistor de FDN335N

Etiquetas de productos:

datasheet 7 segment common anode

p-channel mosfet sot-23

7 segment anode datasheet
Carro de la investigación 0

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