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MOSFET de potencia Ultra-Bajo 0.0015Ω en PQFN dual con clasificación de avalancha AEC-Q101 175°C -40V/-30V Nivel Lógico y Libre de Halógenos para Conversión de Potencia de Alta Eficiencia
Características
Impedancia de puerta ultra baja
Voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados
20V VGS Máx. Clasificación de puerta
Aplicaciones
MOSFET rectificador síncrono para convertidores DC-DC aislados
Sistemas de accionamiento de motor de baja potencia
Descripción
El IRF7351TRPBF es un MOSFET de canal N dual de alto rendimiento de Infineon Technologies, integrado en un paquete PQFN compacto de 5x6 mm. Está diseñado específicamente para convertidores buck síncronos y otras aplicaciones de gestión de energía que exigen alta eficiencia y alta densidad de potencia.
INFORMACIÓN
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Categoría
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Fabricante
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Infineon Technologies
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Serie
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Empaquetado
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Cinta y carrete (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
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Estado de la pieza
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Activo
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Tecnología
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MOSFET (Óxido de metal)
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Configuración
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2 canales N (Dual)
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Característica FET
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Puerta de nivel lógico
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Voltaje drenaje-fuente (Vdss)
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60V
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Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
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8A
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Rds On (Máx) @ Id, Vgs
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17.8mOhm @ 8A, 10V
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Vgs(th) (Máx) @ Id
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4V @ 50µA
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Carga de puerta (Qg) (Máx) @ Vgs
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36nC @ 10V
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Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds
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1330pF @ 30V
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Potencia - Máx
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2W
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje en superficie
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Paquete / Caja
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8-SOIC (0.154", 3.90mm Ancho)
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-SO
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Número de producto base
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Dibujo
Nuestra ventaja:teléfonos, PDA, computadoras portátiles
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Lista de productos
Suministramos una serie de componentes electrónicos, gama completa de semiconductores, componentes activos y pasivos. Podemos ayudarle a obtener todo para la lista de materiales (BOM) de la PCB, en una palabra, puede obtener una solución integral aquí,
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