Anuncio del producto: Transistor de poder de SI4355-B1A-FMR RF
Características:
• Salida de poder más elevado
• Figura de poco ruido
• Eficacia alta
• Operación de banda ancha
• Distorsión baja
• Alta confiabilidad
• RoHS obediente
Especificaciones:
• Gama de frecuencia: 400 megaciclos - 2,7 gigahertz
• De potencia de salida: >20W
• Aumento: DB >15
• Figura de ruido: <3>
• Eficacia: el >50%
• VSWR entrado: <1>
• Salida VSWR: <1>
• Impedancia de entrada: 50 ohmios
• Impedancia de salida: 50 ohmios
• Temperatura de funcionamiento: -40°C a +85°C
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