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BSS214NH6327XTSA1 MOSFET Power Electronics Paquete de transistor de señal pequeña OptiMOS™2 de canal N TO-23

Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	1.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5 V, 4,5 V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1,2 V a 3,7 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	0,8 nC a 5 V
Vgs (Máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	143 pF a 10 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	500 mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT23
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS214NH6327XTSA1 MOSFET Power Electronics Paquete de transistor de señal pequeña OptiMOS™2 de canal N TO-23

Chip CI del semiconductor

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad de microcontrolador MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Gestión ICs del poder

Microprocesadores de memoria Flash

Transductores de los sensores

Retransmisiones de fines generales

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de potencia IGBT

Transistores de poder del RF

Chips CI del amplificador

Aislador IC del poder

Transistor del diodo de IC

BSS214NH6327XTSA1 MOSFET Power Electronics Paquete de transistor de señal pequeña OptiMOS™2 de canal N TO-23

p-channel mosfet sot-23

ic as15-g

2sc5200 equivalent transistor