Características
• 19 A, 200 V, RDS (encendido) = 170 mΩ (máx.) @ VGS = 10 V,
ID = 9,5 A
• Carga de compuerta baja (típ. 40,5 nC)
• Low Crss (típ. 85 pF)
• 100 % probado contra avalanchas

Descripción
Este MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N se produce utilizando la tecnología DMOS y de banda plana patentada de Fairchild Semiconductor.Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado activo y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta fuerza de energía de avalancha.Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación conmutadas, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos para lámparas.

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FQPF19N20C MOSFET Power Electronics N-Channel Package TO-220 adecuado para fuentes de alimentación conmutadas

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	53 nC a 10 V
Vgs (Máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1080 pF a 25 V
Función FET	-
Disipación de energía (máx.)	43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	A través del orificio
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220F-3
Paquete / Caja	Paquete completo TO-220-3

FQPF19N20C MOSFET Power Electronics N-Channel Package TO-220 adecuado para fuentes de alimentación conmutadas

Chip CI del semiconductor

Chip CI programable

Chip CI del circuito integrado

Unidad de microcontrolador MCU

Chips CI de los componentes electrónicos

Gestión ICs del poder

Microprocesadores de memoria Flash

Transductores de los sensores

Retransmisiones de fines generales

Electrónica de poder del MOSFET

Módulo de potencia IGBT

Transistores de poder del RF

Chips CI del amplificador

Aislador IC del poder

Transistor del diodo de IC

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