Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRFP9240PBF MOSFET Power Electronics Alta eficiencia y confiabilidad para todas las aplicaciones

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
Persona de contacto:DANDAN
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IRFP9240PBF MOSFET Power Electronics Alta eficiencia y confiabilidad para todas las aplicaciones

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Number modelo :IRFP9240PBF
Lugar del origen :Mulit-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :999999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :Canal N
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Número bajo del producto :IRFP9240PBF
Drene el voltaje de la fuente (Vdss) :200 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :12A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :500mOhm @ 7.2A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :44 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±20V
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Nombre del producto: MOSFET IRFP9240PBF

Descripción: El IRFP9240PBF es un MOSFET de canal N, diseñado para proporcionar alto rendimiento, baja pérdida de energía y bajo costo en una variedad de aplicaciones.

Características:

• Capacidad de alta corriente
• RDS bajo (activado)
• Carga de puerta baja
• Conmutación de alta velocidad
• Baja resistencia en estado de fuente de drenaje
• Alta impedancia de entrada
• Baja capacitancia de entrada
• Capacitancia de salida baja
• Baja pérdida de potencia
• Baja resistencia térmica
• Bajo costo

Especificaciones:

• Voltaje de fuente de drenaje: 100 V
• Corriente de drenaje continua: 28A
• Resistencia en estado de drenaje-fuente: 0,01 Ω
• Voltaje de umbral de puerta: 4V
• Voltaje disruptivo drenaje-fuente: 140 V
• Disipación de potencia máxima: 100W
• Rango de temperatura de funcionamiento: -55 °C a 150 °C
• Paquete: TO-220AB

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