PARÁMETROS TÉCNICOS |
Estructura del instrumento | Análisis simultáneo del multi-artículo del sistema discreto (con
auto-vuelva a inspeccionar, la función de prioridad de la
emergencia) |
Producción | 400T/H+800ISE |
Volumen de muestra | 1.5μL~35μL, 0.05μL como unidad a aumentar. |
Volumen el reactivo | 20μL~350μL, 0.5μL como unidad a aumentar |
Unidad de muestra | posición de 115 muestras (posición de 50 rutinas, posición de 34
calibradores, posición de 20 stat, posición de 8 controles,
posición de 3 detergentes) en la cual, posición de 8 controles y la posición de 17 calibradores tiene función de la refrigeración. |
Disco el reactivo | disco dos reactivo con la función de la refrigeración, posición el
reactivo 56×2, |
De climatizador el reactivo | Todos los reactivo se guardan en 2℃ - 12℃ en la refrigeración del
semiconductor. |
Fotómetro | El sistema posterior de la espectrofotometría con la plano-reja
cóncava olográfica, 12 longitudes de onda se puede recoger y medir
simultáneamente. Longitudes de onda: 340 nanómetro, 380 nanómetro, 405 nanómetro,
450 nanómetro, 480 nanómetro, 505 nanómetro, 546 nanómetro, 570
nanómetro, 600 nanómetro, 660 nanómetro, 700 nanómetro, 750nm o 800
nanómetro. |
Exactitud de la longitud de onda | ±2nm |
Gama de la absorción | 0 a 3,6 ABS |
Fuente de luz | lámpara del halógeno del cuarzo de 20W /12V con el enfriamiento
eficiente, una vida útil larga. |
Disco de la reacción | 6 sistemas, 20 posiciones/sistema, 120 en total |
Enjuague de la cubeta de la reacción | 7 enjuague automático del paso de la parada 11 |
Temperatura del baño de la incubación | 37℃±0.1 |
Sistema de enfriamiento | Sistema de enfriamiento determinado posterior del semiconductor,
agua-medio |
Fuente de alimentación | ~220V±22V 50Hz±1Hz |
Temperatura ambiente | 15℃~32℃ |
Humedad relativa | menos el de 80% |
Dimensión del aspecto | 1060×790×1150 (L×W×H) |
Poder clasificado | 2000VA |
Peso | approx.300kg |