Pararrayos del protector de sobretensiones del tubo de descarga de gas de SMD3225 1KA 0.5pF 1210 SMD con un paquete superficial ajustado del soporte
Number modelo:SMD3225
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1000pcs
Condiciones de pago:D/P, T/T, Paypal, Western Union
Capacidad de la fuente:1000000+pcs+month
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Edificio C, ciencia y parque tecnológico, Chashan de Xinmeijia
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Pararrayos del protector de sobretensiones del tubo de descarga de gas de SMD3225 1KA 0.5pF 1210 SMD con un paquete superficial ajustado del soporte
Descripción de los pararrayos del protector de sobretensiones del tubo de descarga de gas de SMD3225 1KA 0.5pF 1210 SMD
Gases nobles del uso de los tubos de descarga de gas (GDT) incluidos en tubos de cerámica para proporcionar una trayectoria del circuito alterno para los puntos de voltaje. El sobre de cerámica y con los conectores del níquel permite altas cargas. La serie de los tubos de descarga de gas SMD3225 (GDT) tiene un grado de la oleada de 1kA, 8/20μs.Offered en un paquete superficial ajustado del soporte, que ayuda a hacer la selección y el lugar en el proceso del PWB más fácil.
Esta serie del GDT se adapta perfectamente para los usos de banda ancha del equipo. La capacitancia baja del apagado-estado Del GDT es compatible con altos usos del ancho de banda y este valor del cargamento de la capacitancia no varía si el voltaje a través de los cambios del GDT.
Las series del tubo de descarga de gas SMD3225 (GDT) se diseñan
específicamente para la protección de eléctrico, de multimedias, y
del equipo de comunicación contra transeúntes excesivos del voltaje
en los usos superficiales del montaje de soporte.
Características de los pararrayos del protector de sobretensiones del tubo de descarga de gas de SMD3225 1KA 0.5pF 1210 SMD
• Respuesta excelente a ayunar transeúntes de levantamiento
• Voltaje de avería estable
• Gigahertz de la frecuencia de trabajo
• capacidad de la corriente de impulso 8/20μs: 1KA
• Paquete superficial del soporte
• No radiactivo
• Capacitancia ultrabaja (<0> • Obediente sin plomo
• RoHS y ALCANCE obedientes
• Muy tamaño pequeño (EIA 1210)
• Almacenamiento y temperatura operativa: -40~+90°C
Usos de los pararrayos del protector de sobretensiones del tubo de descarga de gas de SMD3225 1KA 0.5pF 1210 SMD
• Equipo de comunicación
• Equipo de CATV
• Equipo de prueba
• Líneas de datos
• Fuentes de alimentación
• Protección de las telecomunicaciones SLIC
• Equipo de banda ancha
• Equipo de ADSL, incluyendo ADSL2+
• Equipo de XDSL
• Satélite y equipo de CATV
• Equipo de telecomunicaciones general
Características eléctricas de los pararrayos del protector de sobretensiones del tubo de descarga de gas de SMD3225 1KA 0.5pF 1210 SMD
| DC Chispa-sobre el voltaje 1) 2) | Impulso Chispa-sobre voltaje | Resistencia de aislamiento 3) | Capacitancia @1MHz | Grados de la vida | |||||||||||||||||||||||
| Corriente derivada del impulso | CA Descarga | Capacidad @10/700μS, del voltaje que soporta de impulso 40 épocas ±5 | Vida @10/1000μS del impulso | ||||||||||||||||||||||||
| 100V/μS | 1KV/μS | ||||||||||||||||||||||||||
| Número de parte | @100V/S | @8/20μS | Actual | 10A | |||||||||||||||||||||||
| Máximo | Máximo | Minuto | Máximo | Nominal épocas ±5 | Máximo 1 vez | Nominal 5 veces | Minuto | ||||||||||||||||||||
| V | V | V | GΩ | PF | KA | KA | Kilovoltio | Épocas | |||||||||||||||||||
| SMD3225-075N | el 75±30% | 500 | 600 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-090N | el 90±30% | 500 | 600 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-120N | el 120±30% | 500 | 600 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-150N | el 150±30% | 500 | 600 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-200N | el 200±30% | 600 | 700 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-230N | el 230±30% | 600 | 700 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-300N | el 300±30% | 700 | 800 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-350N | el 350±30% | 800 | 900 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-400N | el 400±30% | 850 | 950 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-470N | el 470±30% | 900 | 1000 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-600N | el 600±30% | 1100 | 1200 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| SMD3225-800N | el 800±30% | 1400 | 1500 | 1 | 0,5 | 1 | 2 | 1 | 6 | 100 | |||||||||||||||||
| Voltaje del resplandor en 10mA ~60V | |||||||||||||||||||||||||||
| Voltaje de arco en 0.5A .............................................................................. ~10V | |||||||||||||||||||||||||||
| Brille intensamente para formar arcos corriente de la transición. ~0.2A | |||||||||||||||||||||||||||
| Peso ............................................................................................ ~0.095g | |||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de la operación y de almacenamiento ............................................. -40~+90°C | |||||||||||||||||||||||||||
| Categoría climática (IEC 60068-1) ................................................. 40/90/21 | |||||||||||||||||||||||||||
| Marcado fuera | |||||||||||||||||||||||||||
| Tratamiento superficial
...................................................................
Mate-lata plateada 1) En el nivel II de los AQL 0,65 de la entrega, estruendo ISO 2859 2) En modo ionizado 3) Voltaje de medición de la resistencia de aislamiento: 70V y 75V en DC 25V 90V~150V en DC 50V Otro en DC 100V Términos de acuerdo con ITU-T Rec. K.12, IEC 61643-311, GB/T 9043. | |||||||||||||||||||||||||||
| Símbolo | Milímetros | Pulgadas | |||||||||||||
| 2.5±0.2 | 0.098±0.008 | ||||||||||||||
| B | 2.5±0.2 | 0.098±0.008 | |||||||||||||
| C | 3.2±0.3 | 0.126±0.012 | |||||||||||||
| D | 0.3±0.1 | 0.012±0.004 | |||||||||||||
| X | 1,3 | 0,051 | |||||||||||||
| X1 | 3,3 | 0,130 | |||||||||||||
| Y | 2,8 | 0,110 | |||||||||||||
Especificaciones el grabar y del carrete de los pararrayos del protector de sobretensiones del tubo de descarga de gas de SMD3225 1KA 0.5pF 1210 SMD
| Símbolo | Milímetros | Pulgadas | |||||||||||||
| W | 12±0.3 | 0.472±0.012 | |||||||||||||
| A0 | 2.8±0.1 | 0.110±0.004 | |||||||||||||
| B0 | 3.5±0.1 | 0.138±0.004 | |||||||||||||
| K0 | 2.8±0.1 | 0.110±0.004 | |||||||||||||
| P | 8.0±0.1 | 0.315±0.004 | |||||||||||||
| F | 5.5±0.1 | 0.217±0.004 | |||||||||||||
| E | 1.75±0.1 | 0.069±0.004 | |||||||||||||
| D | 1.5+0.1/-0.0 | 0.059+0.004/-0.0 | |||||||||||||
| P0 | 4±0.1 | 0.157±0.004 | |||||||||||||
| P2 | 2±0.1 | 0.079±0.004 | |||||||||||||
| T | 0.35±0.05 | 0.014±0.002 | |||||||||||||
| D0 | 13.3±0.15 | 0.524±0.006 | |||||||||||||
| D1 | 330±2 | 12.992±0.079 | |||||||||||||
| D2 | 100+1/-2 | 3.937+0.039/-0.079 | |||||||||||||
| W1 | 12.5±0.4 | 0.492±0.016 | |||||||||||||
Parámetros que sueldan - el soldar de flujo (dispositivos superficiales del soporte) de los pararrayos del protector de sobretensiones del tubo de descarga de gas de SMD3225 1KA 0.5pF 1210 SMD
| Condición del flujo | Pb - montaje libre | ||||||||||||||||
| Pre calor | - Minuto de la temperatura (Ts (minuto)) | 150°C | |||||||||||||||
| - Temperatura máxima (Ts (máximos)) | 200°C | ||||||||||||||||
| - Tiempo (minuto a máximo) (ts) | 60 -180 segundos | ||||||||||||||||
| De la rampa tarifa media para arriba (temporero TL de los líquidos) a enarbolar | 3°C/second máximo | ||||||||||||||||
| TS (máximos) a TL - tarifa de la rampa-para arriba | 5°C/second máximo | ||||||||||||||||
| Flujo | - Temperatura (TL) (líquidos) | 217°C | |||||||||||||||
| - Tiempo (minuto a máximo) (ts) | 60 -150 segundos | ||||||||||||||||
| Temperatura máxima (TP) | 260 +0/-5°C | ||||||||||||||||
| Tiempo dentro de 5°C de la temperatura máxima real (tp) | 10 - 30 segundos | ||||||||||||||||
| Tarifa de la rampa-abajo | 6°C/second máximo | ||||||||||||||||
| Hora 25°C de enarbolar la temperatura (TP) | 8 minutos de máximo | ||||||||||||||||
| No se exceda | 260°C | ||||||||||||||||
Pararrayos del protector de sobretensiones del tubo de descarga de gas de SMD3225 1KA 0.5pF 1210 SMD con un paquete superficial ajustado del soporte
Carro de la investigación
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