Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA
Payment Terms:En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
Número de modelo:Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Lugar de origen:KR
Cantidad mínima de pedido:1
Capacidad de suministro:100000
Tiempo de entrega:5-8day
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
Sala E, piso 22, bloque B, edificio Duhui 100, subdistrito de Huaqiangbei, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Memoria de acceso aleatorio dinámico DRAM 2GB F-DIE DDR3 SDRAM X16
K4B2G1646F-BCMA
Especificaciones del producto
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Catálogo de productos | Memoria> Memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) |
| Embalaje universal | BGA, FBGA |
| ROHS | Cumplimiento |
| Método de instalación | Instalación de montaje en superficie |
| Temperatura de funcionamiento | 0 ℃ ~ 95 ℃ |
| Dimensiones (L × W × H) | 13.3 mm × 750 cm × 1.1 mm |
| Calificación de la aplicación | Grado comercial |
| Método de embalaje | Paleta |
| Voltaje mínimo de la fuente de alimentación de trabajo | 1.425V |
| Organización | 128mx16 |
| Ancho de bus de datos | 16 bits |
| Tipo de interfaz | SSTL_1.5 |
| Capacidad de almacenamiento | 256 MB |
| Corriente de suministro máxima | 134mA |
| Voltaje máximo de la fuente de alimentación de trabajo | 1.575V |
Detalle técnico
Memoria de acceso aleatorio dinámico DRAM 2GB F-DIE DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA
- Jedec Standard 1.5V + 0.075V Fuente de alimentación
- VDOO = 1.5V + 0.075V
- 400 MHz FCX para 800mb/seg/pin, 533MHz FCK para 1066mb/seg/pin, 667MHz FCK para 13333mb/seg/pin, 800MHz FCK para 1600mb/seg/pin, 933mhz FCK para 18666MB/SEC/PIN, 1066MHC FCK para 213mb/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC/SEC
- 8 bancos
- Latencia CAS programable (publicado CAS): 5,6,7,8,9,10,11,13,14
- Latencia aditiva programable: reloj 0, CL-2 o CL-1
- Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 5 (DDR3-800), 6 (DDR3-1066), 7 (DDR3-1333), 8 (DDR3-1600), 9 (DDR3-1866), 10 (DDR3-2133)
- Pre-FOCHT de 8 bits
- Longitud de explosión: 8 (Interleve sin límite, secuencial con la dirección inicial "000" solo), 4 con tccd = 4 que no permite leer o escribir sin costuras
- Estancamiento de datos diferenciales bidireccionales
- El 2GB DDR3 SDRAM F-Die está organizado como un dispositivo de bancos iOS x 8 de 16 mbit x 16
- Calibración interna (self) en la terminación de la matriz usando PIN ODT
- Reinicio asíncrono
- Paquete: 96 bolas FBGA-X16
- Todos los productos sin plomo cumplen con ROHS
- Todos los productos están libres de halógenos
Imágenes de productos
Embalaje y transporte
- Embalaje de exportación estándar
- Los clientes pueden elegir entre cajas de cartones, estuches de madera y paletas de madera de acuerdo con sus requisitos
Preguntas frecuentes
1. ¿Cómo obtener el precio?
Por lo general, cotizamos dentro de las 24 horas posteriores a la recepción de su consulta (excepto los fines de semana y las vacaciones). Si necesita un precio urgente, contáctenos directamente para una respuesta más rápida.
2. ¿Cuál es su tiempo de entrega?
Típicamente de 7 a 15 días para lotes pequeños, aproximadamente 30 días para lotes grandes, dependiendo de la cantidad y temporada del pedido.
3. ¿Cuáles son sus términos de pago?
Precio de fábrica, 30% de depósito, 70% de pago T/T antes del envío.
4. ¿Cuál es el modo de transporte?
Disponible por entrega de mar, aire o expreso (EMS, UPS, DHL, TNT, FedEx, etc.). Confirme con nosotros antes de ordenar.
5. ¿Cómo ayuda a nuestro negocio a establecer una relación a largo
plazo?
Mantenemos los precios competitivos y de buena calidad para garantizar los beneficios del cliente. Respetamos a todos los clientes y valoramos las relaciones comerciales a largo plazo.
Chip de memoria DRAM F Die de 2 Gb, memoria de acceso aleatorio dinámico DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA
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