DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Number modelo:DF2B29FUH3F
Lugar del origen:Japón
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:10,000pcs
Plazo de expedición:en existencia 2-3days
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. El número de unidades de producción será el siguiente:Diodos de protección ESD de silicio epitaxial planar
1.Aplicaciones• las condiciones de trabajoProtección de la DSE
Nota:Este producto está diseñado para protegerse contra descargas
electrostáticas (ESD) y no está destinado a ningún otro tipo de
protección.
finalidad, incluida, entre otras, la regulación del voltaje.
2. Características
(1) Calificado AEC-Q101 (nota 1)
Nota 1:
Para obtener información detallada, por favor póngase en contacto
con nuestras ventas.
Nota:
El uso continuo bajo cargas pesadas (por ejemplo, la aplicación de
alta temperatura/corriente/tensión y el
La reducción de la fiabilidad de este producto puede ocasionar una
disminución significativa de la fiabilidad de este producto,
incluso si el producto no es compatible con el mercado.
si las condiciones de funcionamiento (es decir, temperatura de
funcionamiento/corriente/tensión, etc.) se encuentran dentro de los
valores máximos absolutos.
Por favor, diseñe la fiabilidad apropiada al revisar el Manual de
fiabilidad de semiconductores de Toshiba
("Precauciones de manipulación"/"Concepto y métodos de reducción")
y datos individuales de fiabilidad (es decir, prueba de fiabilidad)
el informe y la tasa de fallas estimada, etc.).
Nota 1: de acuerdo con la norma IEC61000-4-2.
Nota 2: de acuerdo con ISO10605. (@ C = 330 pF, R = 2 kΩ)
Nota 3: de acuerdo con la norma IEC61000-4-5.
Nota 1: Basado en el pulso IEC61000-4-5 de 8/20μs.
Nota 2: Parámetro TLP: Z0 = 50Ω, tp = 100 ns, tr = 300 ps, ventana
de medición: t1 = 30 ns a t2 = 60 ns,
extracción de la resistencia dinámica utilizando un ajuste de
mínimos cuadrados de las características del TLP en IPP entre 8 A y
16 A.
Nota 3: Garantizada por el diseño.
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Carro de la investigación
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