canal N IRFB38N20DPBF 3.8W 300W del transistor de poder del Mosfet de 43A 200v SMPS

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canal N IRFB38N20DPBF 3.8W 300W del transistor de poder del Mosfet de 43A 200v SMPS

Number modelo:IRFB38N20DPBF

Lugar del origen:Fabricante original

Cantidad de orden mínima:Cantidad de orden mínima: 10 PCS

Condiciones de pago:T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer

Capacidad de la fuente:1000

Plazo de expedición:Dentro de 3days

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Shenzhen Huahao Gaosheng Technology Co., Ltd

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Shenzhen China

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MOSFET del CANAL N SMPS del TRANSISTOR de PODER del MOSFET de 200V 43A 3.8W 300W IRFB38N20DPBF

Tipo del FET:	Canal N	Drene al voltaje de la fuente:	200V
Actual - dren continuo:	43A	Voltaje de la impulsión:	10V
Alta luz:	transistores del mosfet del poder más elevado , transistor del mosfet del canal N

Tipo del FET:

Canal N

Drene al voltaje de la fuente:

200V

Actual - dren continuo:

43A

Voltaje de la impulsión:

10V

Alta luz:

transistores del mosfet del poder más elevado

transistor del mosfet del canal N

Canal N 200V 43A 3.8W 300W de IRFB38N20DPBF a través del MOSFET del agujero TO-220AB SMPS

Usos

l convertidores de alta frecuencia de DC-DC

l TO-220 está disponible en PbF como sin plomo

Ventajas

l carga baja del Puerta-a-dren a reducir el cambiar de pérdidas

l caracterizó completamente capacitancia incluyendo COSS eficaz para simplificar diseño, (SeeApp. Nota AN1001)

l caracterizó completamente voltaje y la corriente de avalancha

Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	200V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	43A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	54 mOhm @ 26A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	91nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	2900pF @ 25V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	3.8W (TA), 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
88E3019-A0-NAJ2C000	MARVELL	CX28380-16	MNDSPEED
SAF7741HV/125		CS9211-VNG	NSC
NJM2368E	JRC	C10P20FR	NIEC
RDC19222-203	DDC	AD8130AR-REEL7	ADI
RCR3135 (B) - 332SI	RCR	TC7WH14FU	TOSHIBA
UPD780076YGK	NEC	SB2045LCT	CPE
S29GL064N90TFI040	SPANSION	PIC16LF872-I/SS	MICROCHIP
NT68168UFG	NOVATEK	UP6106M8	PUI
MX29LV160BTC-90	MXIC	MC100ELT20DR2	MOT
LM1108SF-2.5	HTC	LCMXO2-7000HC-5BG256I	ENREJADO
IDT49FCT3805Q	IDT	AD8018ARUZ-REEL7	ADI
CM1442-08CP	CMD	SSK2N7002E	FSC
TLP732F	TOSHIBA	S-1206B15-U3T1G	SEIKO
MC14069U	EN	MC74AC86DR2	EN
HG61H25B02P	RENESAS	MB605612UC-G	FUJITSU
TS31023-QFNR	SEMTECH	CAP002DG-TL	PODER
TLE2425CPSR	TI	BFP182E7764	INFINEON
TMS320C6701GJCA120	TI	TPS40077PWPR	TI
SIS620	SIS	TMS320C346BA006PZ-T	TI
PIC16LF819-I/ML	MICROCHIP	MX25L12845EZNI-10G	MXIC

Etiquetas de productos:

canal N IRFB38N20DPBF 3.8W 300W del transistor de poder del Mosfet de 43A 200v SMPS

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