sensor fotoconductor 540nm de la luz del fotorresistor de la fotocélula de los Cdes del diámetro de 4m m para la exposición de la cámara

Número de modelo:GM45
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1000 Piezas
Condiciones de pago:T / T, Western Union
Capacidad de la fuente:100.000.000 pedazos por mes
Plazo de expedición:7-10 días laborables
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Dongguan Guangdong China
Dirección: NO.27, calle de Jinlanling, pueblo Dongguan 523829, Guangdong, China de Taigongling
Proveedor Último login veces: Dentro de 35 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

4mm Dia CdS fotocelular fotoresistora de luz sensor 540nm para exposición de cámara


Aplicaciones típicas


FotometríaPara los medidores de exposición
Obturador electrónico programado
Circuito de exposición automática
Los demás aparatos de iluminación de uso general
Para la alarma de baja exposición
Detección en condiciones de poca luz
Detección del nivel de contrailuminación
Control de balance de blancos para cámaras de vídeo

Control de la luz
Para amortiguadores de luz
Para el interruptor de luz automático
Lámparas para calles, puertas y jardines
Automóvil nocturno con faro
Luz delantera
DetecciónPapel y lectura de tarjetas
Para sistemas de calefacción
Monitor de llama para quemador de aceite
Juguetes electrónicos como las armas de haz
Alarma de intrusos, sistema de seguridad
El audioControl de volumen sin contacto
Para Melody Toys, tarjeta, taza de té, etc.
Sistema de retorno automático para el tocadiscos
Circuito de modulación

Descripción


Los sensores de sulfoselenuro de cadmio (CdS) son dispositivos fotoconductores de bajo costo para la medición de la luz visible.Su resistencia disminuye a medida que aumenta el nivel de luz con características de eficiencia similares al ojo humano.


La serie GM45 son (CdS), fotocélulas fotoconductoras diseñadas para detectar la luz de 400 a 700 nm. Estas resistencias dependientes de la luz están disponibles en una amplia gama de valores de resistencia.Están envasados en una caja cerámica recubierta de plástico con dos plomo..



Especificación


NombreModelo

Máximo de tensión

VDC

Max. potencia

el

Temperatura del medio ambiente (°C)

Espectro máximo nm

Resistencia a la luz (10Lux)

Resistencia Oscura

≥ MΩ

γ100

10

Tiempo de respuesta

(ms)

AumentoDisminución

φ4

Serie

Se trata de la siguiente:15050-30 ~ + 705402 a 5.0.10.53030
Se trata de la siguiente:15050-30 ~ + 70540Entre 5 y 100.20.53030
Se trata de la siguiente:15050-30 ~ + 70540Entre 10 y 2010.63030
Se trata de la siguiente:15050-30 ~ + 70540Entre 20 y 3020.63030
Se trata de un producto de fabricación en la Unión Europea.15050-30 ~ + 70540Entre 30 y 5030.73030
Se trata de una15050-30 ~ + 7054050 a 10050.83030
Se trata de la siguiente:15050-30 ~ + 70540100 a 200100.93030

- ¿Por qué no lo hace? Descargar¿Cómo se llama?


Características


Respuesta a la luz visible
Construcción sinterizada
Bajo coste


Ejemplo de aplicación


Las placas de entrada LDR:

Esta es una resistencia ORP13, 4mm de luz dependiente
Resistencia totalmente cubierta de 10kΩ
En condiciones normales de habitación tiene una resistencia de aproximadamente 250Ω.


Consideraciones de diseño


Los fotoresistores son dispositivos menos sensibles a la luz que los fotodiodos o los fototransistores: los dos últimos componentes son verdaderos dispositivos semiconductores,mientras que un fotoresistor es un componente pasivo y no tiene una unión PNLa fotoresistividad de cualquier fotoresistor puede variar ampliamente en función de la temperatura ambiente, por lo que no son adecuados para aplicaciones que requieren una medición precisa de los fotones de luz o sensibilidad a ellos.

Los fotoresistores también exhiben un cierto grado de latencia entre la exposición a la luz y la posterior disminución de la resistencia, generalmente alrededor de 10 milisegundos.El tiempo de retraso al pasar de entornos iluminados a oscuros es aún mayorEsta propiedad los hace inadecuados para detectar luces que parpadean rápidamente, pero a veces se utiliza para suavizar la respuesta de compresión de señal de audio.

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