Revestimiento ultrasónico de película fina de semillas de carburo de silicio para semiconductores microelectrónicos
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Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:1 Unidad
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de suministro:Unidad 1000 por mes
Detalles del embalaje:embalado por el caso de madera
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Revestimiento ultrasónico de película fina de semillas de carburo de silicio para semiconductores microelectrónicos
Descripción:
Micro electronic semiconductor silicon carbide seed crystal thin
film ultrasonic coating is an emerging technology that combines the
excellent characteristics of silicon carbide with the efficient
coating method of ultrasonic spraying.
Debido a su alta dureza, alta conductividad térmica y excelente
estabilidad química, el carburo de silicio es adecuado para
aplicaciones de alta temperatura y alta potencia.Micro
semiconductor electrónico de carburo de silicio semilla de cristal
de película fina recubrimiento ultrasónico recubrimiento de
película fina puede lograr una conductividad eléctrica y térmica
eficiente, adecuado para diversos dispositivos electrónicos y
optoelectrónicos.
Parámetros:
| Tipo de producto | Máquina de recubrimiento por rociado de precisión ultrasónica Tipo de escritorio de laboratorio Las condiciones de funcionamiento | Máquina de recubrimiento de precisión por ultrasonidos inteligente Tipo de escritorio Las demás: |
| Frecuencia de funcionamiento de la boquilla de rociado | 20 a 200 kHz | 20-200KHz (Normalmente se utiliza 60100110120K) |
| Potencia de la boquilla | 1 a 15 W | 1 a 15 W |
| Volumen máximo de pulverización continua | 00,01 a 50 ml/min | 00,01 a 50 ml/min |
| Ancho de pulverización efectivo | 2 a 100 mm | 2 a 100 mm |
| Uniformidad de los aerosoles | ≥95% | ≥95% |
| Tasa de conversión de la solución | ≥95% | ≥95% |
| espesor de la película seca | 20 nm-100 μm | 20 nm-100 μm |
| Viscosidad de la solución | ≤ 30 cps | ≤ 30 cps |
| Rango de temperatura | 1-60°C | 1-60°C |
| Las partículas atomizadas (valor medio) | 10-45μm (agua destilada), determinada por la frecuencia de la boquilla | 10-45μm (agua destilada), determinada por la frecuencia de la boquilla |
| Presión de desvío máxima | No más de 0,10 MPA | ≤ 0,15 MPA |
| Válvula de entrada | Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero | Las emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero |
| Modo de ejercicio | X + Y dos ejes totalmente automático, ajuste manual del eje Z | XYZ de tres ejes, programable de forma independiente |
| Modo de control | Tarjeta de microordenador, pantalla táctil de 7 pulgadas + botones | Sistema de control de pulverización FUNSONIC, control PLC, pantalla táctil a todo color de 13,3 pulgadas |
| Contenido del control | Pulverización ultrasónica, suministro de líquidos, calefacción, dispersión ultrasónica y otros sistemas | Pulverización ultrasónica, suministro de líquidos, calefacción, dispersión ultrasónica y otros sistemas |
| Método de suministro de líquido | Bomba de inyección de precisión | Bomba de inyección de precisión |
| Sistema de dispersión ultrasónica (opcional) | 50 ml, 40K, muestreo de grado biológico | 20 ml o 50 ml, 40K, muestreo de grado biológico |
| Potencia nominal del sistema de dispersión ultrasónica | 200 W, 10 A | 100 W |
Aplicación:
1Dispositivos electrónicos: en los dispositivos electrónicos de
potencia, las películas delgadas de carburo de silicio pueden
mejorar la eficiencia y la resistencia al calor de los
dispositivos.
2Componentes optoelectrónicos: En los dispositivos fotovoltaicos y
LED, las películas delgadas de carburo de silicio pueden mejorar la
eficiencia de conversión fotoeléctrica.
3- Revestimiento resistente al desgaste: proporciona protección
contra el desgaste y la corrosión de los componentes mecánicos.
Revestimiento ultrasónico de película fina de semillas de carburo de silicio para semiconductores microelectrónicos
Revestimiento ultrasónico de película fina de semillas de carburo de silicio para semiconductores microelectrónicos
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