Casa /El otro equipo eléctrico /

MALLA muy rápida IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4

MALLA muy rápida IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4

Número de modelo:STGB7NC60HDT4
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:7800pcs
Plazo de expedición:día 1
Contacta

Add to Cart

Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Sitio 36B1-B2, C constructiva, ciencia y Mediados de-camino de Shennan del edificio de la tecnología, Shenzhen China de la electrónica
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Shipping
lt's easy to get a shipping quote! Just click the button below and complete the short form.
Get Shipping Quote
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Oferta de acciones (Venta caliente)

Pieza no.CantidadMarcaCORRIENTE CONTINUAPaquete
DS1245Y-1001002DALLAS15+TO-92
DS1990A-F51002MÁXIMA16+PODER
ICL7135CPIZ1002INTERSIL16+INMERSIÓN
IRFP150NPBF5000IR14+TO-247
IRFP260NPBF5000IR14+TO-247
K847P1002Vishay14+DIP16
LM301AN1002NS16+DIP8
LM35DT1002NS16+Hasta 220
MC34074AP1002EN13+DIP14
TC962CPA1002PASTILLA15+Dip8
VB125ASP1002STM16+SOP-10
LT1084CT-121005LT16+TO220
XC2C64A-7VQG44C1005Xilinx14+QFP44
30344560Bosch14+QFP
AT93C66A-10SQ-2.71008ATMEL14+SOP8
NCP1200AP401008EN16+DIP8
PCA82C250T / N4,1183000NXP16+SOP8
ADM5120PX-AB-T-21009Infineon13+QFP208
TDA8950J1011NXP15+ZIP23
HT89501012HOLTEK16+INMERSIÓN
TDA73841012ST16+cremallera
CS5550-ISZ1022CIRRO14+SSOP24
LF412CN1022NS14+DIP8
IR21141SSPBF.1031IR14+SSOP24
XCF04SVOG20C1034Xilinx16+COMPENSACIÓN
MC34084P1050EN16+DIP-14
DAC1220E1077TI13+SSOP16
AT91SAM7X256-AU1088ATMEL15+QFP
74LVX4245MTCX1100FSC16+TSSOP
ADM2582EBRWZ1100ANUNCIO16+SOP-20

STGP7NC60HD

STGF7NC60HD - STGB7NC60HD


N-CANAL 14A - 600V - TO-220 / TO-220FP / D²PAK

Muy rápido PowerMESH ™ IGBT


BOTÓN INFERIOR DE VOLTAJE (V cesat )

■ LAS PÉRDIDAS APAGADAS INCLUYEN LA CORRIENTE DE COLA

■ LAS PÉRDIDAS INCLUYEN ENERGÍA DE RECUPERACIÓN DE DIODOS

■ CARACTERÍSTICAS DE C RES / C IES INFERIORES

■ OPERACIÓN DE ALTA FRECUENCIA HASTA 70 KHz

■ DIODO ANTI PARALELO MUY SOFT ULTRA FAST RECUPERACIÓN

■ PRODUCTOS DE NUEVA GENERACIÓN CON DISTRIBUCIÓN DE PARÁMETROS


DESCRIPCIÓN

Utilizando la última tecnología de alta tensión basada en un diseño de tira patentado, STMicroelectronics ha diseñado una avanzada familia de IGBTs, los PowerMESH ™ IGBT, con excelentes prestaciones. El sufijo "H" identifica una familia optimizada para aplicaciones de alta frecuencia con el fin de lograr unos rendimientos de conmutación muy altos (reducción de caída) que mantienen una baja caída de tensión.


APLICACIONES

■ INVERSORES DE ALTA FRECUENCIA

■ SMPS Y PFC EN EL INTERRUPTOR DURO Y LAS TOPOLOGÍAS RESONANTES

■ CONDUCTORES DE MOTOR


Índices absolutos máximos

SímboloParámetroValorUnidad

STGP7NC60HD

STGB7NC60HD

STGF7 NC60HD
V CESTensión colector-emisor (V GS = 0)600V
V ECRVoltaje Emisor-Colector20V
V GEVoltaje puerta-emisor± 20V
I CCorriente del colector (continuo) a T C = 25 ° C (#)2510UN
I CCorriente del colector (continua) a T C = 100 ° C (#)146UN
I CM (1)Corriente del colector (pulsada)50UN
Yo fDiodo RMS Corriente de avance a T C = 25 ° C20UN
PtDisipación total a T C = 25 ° C8025W
Factor de reducción0,640,20BAÑO
V ISO

Tensión de aislamiento AC

(T = 1 seg, T $ _ { c } $ = 25 ° C)

-2500V
TstgTemperatura de almacenamiento- 55 a 150DO
TjTemperatura de la unión de funcionamiento

(1) Ancho de pulso limitado por máx. temperatura de la Unión.


Figura 1: Paquete


Figura 2: Diagrama Esquemático Interno


Etiquetas de productos:
China MALLA muy rápida IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4 supplier

MALLA muy rápida IGBT del poder del transistor del Mosfet del poder STGB7NC60HDT4

Carro de la investigación 0