TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL del transistor PNP del Pin BD140 3

Número de modelo:BD140
Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:20pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente:5200PCS
Plazo de expedición:día 1
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Distrito constructivo de B-9P/10N Duhui 100 Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 25 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

USO DE FINES GENERALES.

CARACTERÍSTICAS

·De gran intensidad. (Máximo: -1.5A)

·Aumento actual de DC: hFE=40Min. @IC=-0.15A

·Complementario a BD139.

 

GRADO MÁXIMO (Ta=25℃)

CARACTERÍSTICOSÍMBOLO  CLASIFICACIÓN  UNIDAD
Voltaje de la Colector-base VCBO -100 V
Voltaje del Colector-emisor VCEO  -80 V
Voltaje de la Emisor-base VEBO  -5 V
Corriente de colectorIC-1,5 A
Corriente bajaIB-0,5  A

 

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TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL del transistor PNP del Pin BD140 3

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