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MOSFET de potencia Ultra-Bajo 0.0015Ω en PQFN dual con clasificación de avalancha AEC-Q101 175°C -40V/-30V Nivel Lógico y Libre de Halógenos para Conversión de Potencia de Alta Eficiencia
Características
Impedancia de puerta ultra baja
Voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados
20V VGS Máx. Clasificación de puerta
Aplicaciones
MOSFET rectificador síncrono para convertidores DC-DC aislados
Sistemas de accionamiento de motor de baja potencia
Descripción
El IRF7351TRPBF es un MOSFET de canal N dual de alto rendimiento de Infineon Technologies, integrado en un paquete PQFN compacto de 5x6 mm. Está diseñado específicamente para convertidores buck síncronos y otras aplicaciones de gestión de energía que exigen alta eficiencia y alta densidad de potencia.
INFORMACIÓN
Categoría | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Empaquetado | Cinta y carrete (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de la pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (Óxido de metal) | |
Configuración | 2 canales N (Dual) | |
Característica FET | Puerta de nivel lógico | |
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) | 60V | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 8A | |
Rds On (Máx) @ Id, Vgs | 17.8mOhm @ 8A, 10V | |
Vgs(th) (Máx) @ Id | 4V @ 50µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx) @ Vgs | 36nC @ 10V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx) @ Vds | 1330pF @ 30V | |
Potencia - Máx | 2W | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Ancho) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO | |
Número de producto base |
Dibujo
Nuestra ventaja:teléfonos, PDA, computadoras portátiles
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Lista de productos
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