Empaquetado	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	P-canal
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	4A (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	44 mOhm @ 4.3A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	1.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	12.2nC @ 4.5V
Vgs (máximo)	±12V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1200pF @ 15V
Disipación de poder (máxima)	1.4W (TA)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3L

1. Mercancías comunes, de la orden o recepción de fabricación.

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Máscara de polvo FFP2

Máscara de polvo KN95

Máscara de polvo N95

Circuito integrado del semiconductor

Transistor del Mosfet de N

Módulos de poder de IGBT

Termómetro infrarrojo del cuerpo

Visera protectora

Vestidos médicos disponibles

Traje protector disponible

Desinfectante inmediato de la mano

Guantes protectores disponibles

Cubierta principal disponible

Cubierta disponible del zapato

Gafas de seguridad médicas

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