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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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SI3454DV-T1-E3 Transistor MOSFET de baja potencia Mosfet Canal P Ligero

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Circuito integrado IC

 [201]

Condensador de cerámica de múltiples capas

 [833]

Resistores de película gruesa

 [29]

Inductor de alta frecuencia

 [73]

transistor de resistencia de polarización

 [241]

Diodo de protección ESD

 [95]

Rectificador Schottky de diodo

 [103]

Transistor del MOSFET

 [13]

Dispositivo de protección contra sobretensiones de tiristores

 [20]

Regulador bajo del marginado

 [28]

transistor de empalme bipolar

 [15]
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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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China SI3454DV-T1-E3 Transistor MOSFET de baja potencia Mosfet Canal P Ligero wholesale
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SI3454DV-T1-E3 Transistor MOSFET de baja potencia Mosfet Canal P Ligero
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Número de modelo :SI3454DV-T1-E3
Lugar de origen :Estados Unidos
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :T/T
El tiempo de entrega :5-8 días laborables
Detalles de embalaje :SMD/SMT
Producto :MOSFET
Estilo de instalación :SMD/SMT
Paquete/caja :TSOP-6
Encapsulación :Carrete, cinta cortada, carrete de ratón
Tipo de producto :Mosfets
Peso unitario :20 miligramos
Serie :SI3
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Fabricante: Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: TSOP-6
Nombre comercial: TrenchFET
Empaquetado: Bobina
Empaquetado: Cinta recortada
Marca comercial: Vishay/Siliconix
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: SI3
Subcategoría: Transistores
Alias de número de pieza: SI3454DV-E3
Peso unitario: 20 mg

Carro de la investigación 0

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