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Categoría :Productos discretos de semiconductores
Transistores
FET, MOSFET
FET y MOSFET individuales
Característica del FET :-
Vgs(th) (máximo) @ Id :2V @ 250μA
Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Envase / estuche :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :10.8 nC @ 10 V
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :21 mOhm @ 6A, 10V
Tipo de FET :N-canal
Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) :4.5V y 10V
paquete :Cintas y bobinas (TR)
Banda cortante (TC)
Digi-Reel®
Voltagem de salida a la fuente (Vdss) :30 V
Vgs (máximo) :± 20 V
Estado del producto :Actividad
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :435 pF @ 15 V
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Serie :-
Paquete de dispositivos del proveedor :Se aplicará el procedimiento siguiente:
El Sr. :Nexperia EE.UU. Inc.
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C :6A (TA)
Disipación de poder (máxima) :Se aplican las siguientes medidas:
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Número del producto de base :El PMV20
Descripción :MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB Las emisiones de gases de efecto invernadero y los gases de efecto invern
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