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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Arrays de transistores bipolar

Corriente - colector (Ic) (máximo) :600 mA

Estado del producto :Actividad

Tipo de transistor :2 NPN (duales)

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Frecuencia - Transición :-

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Serie :Militar, MIL-PRF-19500/495 Las armas de fuego

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :Las emisiones de dióxido de carbono de los combustibles fósiles son las siguientes:

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :40 V

Paquete de dispositivos del proveedor :6-SMD

El Sr. :Tecnología de microchips

Corriente - límite del colector (máximo) :10 μA (ICBO)

Potencia - máximo :600 mW

Envase / estuche :6-SMD, sin plomo

Temperatura de funcionamiento :-65°C ~ 200°C (TJ)

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :100 @ 150mA, 10V

Número del producto de base :2N5794

Descripción :Transistores con doble señal pequeña

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Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 600mA 600mW Superficie de montaje 6-SMD

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