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Brand Name:NSC
Certification:Original Factory Pack
Model Number:DS90LV011AFMFX-NOPB
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Sitio 36B1-B2, C constructiva, ciencia y Mediados de-camino de Shennan del edificio de la tecnología, Shenzhen China de la electrónica
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Dispositivos electrónicos y solo chip CI del amplificador de los circuitos integrados 3V LVDS

 

 

Descripción general

  El DS90LV011A es un solo dispositivo del conductor de LVDS optimizado para los altos usos de la tarifa y de la energía baja de datos. El DS90LV011A es un conductor actual del modo permitiendo que la disipación de poder siga siendo baja incluso en el de alta frecuencia. Además, la corriente de falta del cortocircuito también se minimiza. El dispositivo se diseña para apoyar tarifas de datos superior a 400Mbps (200MHz) que utiliza tecnología diferenciada de la señalización de la baja tensión (LVDS). El dispositivo está en un pequeño paquete del transistor del esquema de 5 ventajas y un nuevo paquete LLP-8 con un tamaño de cuerpo de 3m m x de 3m m. Las salidas de LVDS se han arreglado para la disposición fácil del PWB. Las salidas diferenciadas del conductor proveen de la EMI baja su oscilación bajo típico de la salida de 350 milivoltio. El DS90LV011A se puede emparejar con su sola línea receptor, el DS90LV012A del compañero, o con ningunos de los receptores del LVDS del nacional, para proporcionar un interfaz de alta velocidad de LVDS.

 

 

Características

n se ajusta a las tarifas que cambian estándar de TIA/EIA-644-A n >400Mbps (200MHz)

n posición oblicua diferenciada máxima de 700 picosegundos (100 picosegundos de típico)

retraso de propagación máximo de n 1,5 ns

sola fuente de alimentación 3.3V de n

señalización diferenciada de n ±350 milivoltio

de n del poder protección apagado (salidas en DE TRIPLE ESTADO)

n Pinout simplifica la disposición del PWB

disipación de energía baja de n (23 mW @ 3.3V típicos)

paquete de la ventaja de n SOT-23 5

paquete sin plomo LLP-8 de n (tamaño de cuerpo de 3x3 milímetro)

perno de la versión de n SOT-23 compatible con SN65LVDS1

n fabricó con tecnología de proceso avanzada del Cmos

rango de operación de la temperatura industrial de n (−40˚C a +85˚C)

 

Diagramas de conexión

 Grados máximos absolutos (nota 1)

Si se requieren los dispositivos especificados militares/aeroespaciales, entre en contacto con por favor los distribuidores nacionales de la oficina de ventas del semiconductor para la disponibilidad y las especificaciones.

 

Voltaje de fuente (VDD) −0.3V a +4V

Voltaje de entrada de LVCMOS (TTL ADENTRO) −0.3V a +3.6V

Voltaje de salida de LVDS (OUT±) −0.3V a +3.9V

Disipación de poder máxima actual del paquete 24mA del cortocircuito de la salida de LVDS @ +25˚C

El paquete 2,26 W de LDA reduce la capacidad normal del paquete 18,1 mW/˚C de LDA sobre el paquete 902 de la resistencia termal de +25˚C (θJA) 55.3˚C/Watt frecuencia intermedia que el mW reduce la capacidad normal del paquete 7,22 mW/˚C de la frecuencia intermedia sobre la temperatura de almacenamiento 138.5˚C/Watt de la resistencia termal de +25˚C (θJA) −65˚C a +150˚C

 

 

 

 

 

 

Condiciones de funcionamiento recomendadas

         
 MinutoTipoMáximoUnidades
Voltaje de fuente (VDD)3,03,33,6V
Temperatura (TA−40+25+85˚C

 

 

Características que cambian (continuas)

Nota 1: Los “grados máximos absolutos” son esos valores más allá de los cuales la seguridad del dispositivo no puede ser garantizada. No se significan para implicar que los dispositivos se deben actuar en estos límites. La tabla de “características eléctricas” especifica condiciones de la operación del dispositivo.

Nota 2: La corriente en los pernos del dispositivo se define como positivo. La corriente fuera de los pernos del dispositivo se define como negativa. Todos los voltajes se refieren para moler excepto VOD.

Nota 3: Todos los typicals se dan para: VDD = +3.3V y TA = +25˚C.

Nota 4: La corriente del cortocircuito de la salida (IOS) se especifica como magnitud solamente, signo de menos indica la dirección solamente.

Nota 5: Estos parámetros son garantizados por diseño. Los límites se basan en el análisis estadístico del funcionamiento del dispositivo sobre gamas de PVT (proceso, voltaje, temperatura).

Nota 6: El CL incluye capacitancia de la punta de prueba y del accesorio.

Nota 7: Forma de onda del generador para todas las pruebas salvo especificación de lo contrario: f = 1 megaciclo, ZO = 50Ω, ≤ 1 ns, ≤ 1 ns (10%-90%) del tr del tf.

Nota 8: El DS90LV011A es un dispositivo y solamente una función actuales del modo con la especificación de la ficha técnica cuando una carga resistente se aplica a las salidas de los conductores.

Nota 9: tSKD1, |tPLHD del − del tPHLD|, es la diferencia de la magnitud en tiempo de retraso diferenciado de propagación entre el borde que va del positivo y el borde que va negativo del mismo canal. Nota 10: tSKD3, pieza diferenciada a la posición oblicua de la parte, se define como la diferencia entre los retrasos de propagación diferenciados especificados mínimos y máximos. Esta especificación se aplica a los dispositivos en el mismo VDD y dentro de 5˚C de uno a dentro de la gama de temperaturas de funcionamiento. Nota 11: tSKD4, parte para parte la posición oblicua, es la posición oblicua de canal a canal diferenciada de cualquier acontecimiento entre los dispositivos. Esta especificación se aplica a los dispositivos sobre gamas recomendadas de la temperatura y del voltaje de funcionamiento, y a través de la distribución de proceso. se define tSKD4 como |Minuto máximo del −| retraso de propagación diferenciado. Nota 12: condiciones de la entrada del generador del fMAX: tr = tf < 1 ns (el 0% a 100%), ciclo de trabajo del 50%, 0V a 3V. Criterios de la salida: ciclo de trabajo = 45%/55%, VOD > 250mV. El parámetro es garantizado por diseño. El límite se basa en el análisis estadístico del dispositivo sobre la gama de PVT por los tiempos de transiciones (tTLH y tTHL).

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